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SI4539ADY-T1 / MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W
SI4539ADY-T1的规格信息
SI4539ADY-T1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:5.9 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:53 mOhms

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Half-Bridge

下降时间:14 ns, 10 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:14 ns, 10 ns

工厂包装数量:2500

商标名:TrenchFET

典型关闭� 00006000 �迟时间:30 ns, 40 ns

典型接通延迟时间:6 ns, 7 ns

供应商SI4539ADY-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4539ADY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI4539ADY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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SI4539ADY-T1N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO65.61 Kbytes共7页SI4539ADY-T1的PDF下载地址SI3590DV,SI4544DY,SI6543DQ,SI4558DY,SI6544DQ,SI3552DV,SI4532ADY,SI2303BDS,SI1433DH,SI4953ADY
SI4539ADY-T1-E3MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO127.36 Kbytes共8页SI4539ADY-T1-E3的PDF下载地址
SI4539ADY-T1-GE3N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1233.2 Kbytes共14页SI4539ADY-T1-GE3的PDF下载地址
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10+:¥10.67
25+:¥9.63
100+:¥8.43
250+:¥7.39
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SI4539ADY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOICObsolete
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Mouser 贸泽电子
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