| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI4490DY-T1-E3 | Siliconix / Vishay | SI4490DY-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor; 2.8 A; 200 V; 8-Pin SOIC | +2500:$2.15
+5000:$2.09
+7500:$2.00 |
Arrow(艾睿) | SI4490DY-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W | 1+:￥12.2199
10+:￥11.04
25+:￥9.89
100+:￥8.9
250+:￥7.89
500+:￥6.9
1000+:￥5.711+:￥10.3501
10+:￥8.28
100+:￥6.6701
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ChipOneStop | SI4490DY-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W | 1+:￥12.2199
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Digi-Key 得捷电子 | SI4490DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO | $2.00000 |
Digi-Key 得捷电子 | SI4490DY-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W | 1+:￥12.2199
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element14 e络盟电子 | SI4490DY-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W | 1+:￥12.2199
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Future(富昌) | SI4490DY-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W | 1+:￥12.2199
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Mouser 贸泽电子 | SI4490DY-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W | 1+:￥12.2199
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Mouser 贸泽电子 | SI4490DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8 | 1:¥15.2098
10:¥12.5995
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Verical | SI4490DY-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W | 1+:￥12.2199
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1000+:￥4.1999 |
立创商城 | SI4490DY-T1-E3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.85A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：80mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道 | 1+:￥13.42
10+:￥13.05
30+:￥12.81
100+:￥12.57
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