系列：TrenchFET®

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.7A，3A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：53 毫欧 @ 4.9A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16nC @ 10V

功率-最大值：1.13W，1.2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N+P

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：4.9A

漏源极导通电阻RDS(ON)：80mOhms

无铅情况/RoHs：否