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SI4497DY-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
SI4497DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:36 A

Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:285 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:7.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:75 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:115 ns

典型接通延迟时间:19 ns

零件号别名:SI4497DY-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SI4497DY-T1-GE3
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集好芯城SI4497DY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI4497DY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SI4497DY-T1-GE3P-Channel 30 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO128.4 Kbytes共7页SI4497DY-T1-GE3的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
SI4497DY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥14.11
10+:¥12.73
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Avnet Express
SI4497DY-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel2,500 : $0.8403
12,499 : $0.8082
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Digi-Key 得捷电子
SI4497DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 36A 8SO$1.97000
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Digi-Key 得捷电子
SI4497DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC5,000 : $0.7904
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Digi-Key 得捷电子
SI4497DY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥14.11
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Future Electronics
SI4497DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi4497DY Series Single P-Channel 30 V 0.0033 mOhms 7.8 W SMT Power Mosfet-SOIC-8
RoHS : Compliant
2,500 : $0.9
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Mouser 贸泽电子
SI4497DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-81:¥14.4414
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Mouser 贸泽电子
SI4497DY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥14.11
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