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SI4488DY-T1-E3 /MOSFET
SI4488DY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：SI

单位重量：506.600 mg

零件号别名：SI4488DY-E3

商标名：TrenchFET

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：50 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：150V

连续漏极电流ID：3.5A

漏源极导通电阻RDS(ON)：50mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI4488DY-T1-E3
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI4488DY-T1-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI4488DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI4488DY-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市坤融电子有限公司SI4488DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市百域芯科技有限公司SI4488DY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市兴中芯科技有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037		唐先生Email:chenglong@xzxic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4488DY-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI4488DY-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4488DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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SI4488DY-T1-E3MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO166.55 Kbytes共8页SI4488DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4488DY-T1-E3MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO162.50 Kbytes共8页SI4488DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4488DY-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO164.19 Kbytes共8页SI4488DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4488DY-T1-E3MOSFET; SOIC8 150V N-Channel TrenchSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO162.50 Kbytes共8页SI4488DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4488DY-T1-E3/BKNMOSFET; SOIC8 150V N-Channel TrenchSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO79.96 Kbytes共6页SI4488DY-T1-E3/BKN的PDF下载地址无
SI4488DY-T1-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI4488DY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; SOIC8 150V N-Channel Trench+2500:$1.93
+5000:$1.91
+7500:$1.85
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI4488DY-T1-E3/BKNSiliconix / VishayMOSFET; SOIC8 150V N-Channel Trench+1:$2.41
+100:$2.31
+250:$2.19
+500:$2.08
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SI4488DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 5A 3.1W2500+:￥5.29
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI4488DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 5A 3.1W2500+:￥5.29
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
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Future(富昌)		SI4488DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 5A 3.1W2500+:￥5.29
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Mouser 贸泽电子		SI4488DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 5A 3.1W2500+:￥5.29
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Mouser 贸泽电子		SI4488DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-81:¥16.0573
10:¥14.5205
100:¥11.526
500:¥9.605
2,500:¥9.605
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Verical		SI4488DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 5A 3.1W2500+:￥5.29
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立创商城		SI4488DY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道1+:￥15.16
10+:￥14.77
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