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SI2302S /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

SI2302S的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 1A,2.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1W

类型N沟道

SI2302S

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	SI2302S	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 13310061703	傅小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI2302S	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI2302S	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
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深圳市博浩通科技有限公司	SI2302S	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
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深圳市腾浩伟业电子有限公司	SI2302S	深圳市福田区上步工业区201栋316室	18218171380(微信同号）	李	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SI2302S		MDD		1.22 Mbytes	共5页		无
SI2302S	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道	BORN伯恩半导体		1.60 Mbytes	共4页		无

SI2302S的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SI2302S	BORN伯恩半导体	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道	20+:￥0.152877 200+:￥0.115392 600+:￥0.108507 2000+:￥0.101622 10000+:￥0.098562 20000+:￥0.09705
立创商城	SI2302S	MDD	MOS(场效应管)	20+:￥0.128002 200+:￥0.0956 600+:￥0.089648 2000+:￥0.083697 10000+:￥0.081052 20000+:￥0.079745

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