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SI2304BDS-T1-GE3 /MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
SI2304BDS-T1-GE3的规格信息
SI2304BDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:2.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:0.75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:6 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:7.5 ns

零件号别名:SI2304BDS-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2304BDS-T1-GE3
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深圳市威雅利发展有限公司SI2304BDS-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市微碧半导体有限公司SI2304BDS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2304BDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI2304BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2304BDS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市百域芯科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市斌腾达科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市芯奕科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SI2304BDS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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SI2304BDS-T1-GE3MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO192.16 Kbytes共8页SI2304BDS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2304BDS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO153.25 Kbytes共7页SI2304BDS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2304BDS-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO190.15 Kbytes共8页SI2304BDS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2304BDS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SI2304BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V3000+:￥0.72
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2304BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3$0.43000
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Digi-Key 得捷电子		SI2304BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V3000+:￥0.72
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Future(富昌)		SI2304BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V3000+:￥0.72
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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立创商城		SI2304BDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道1+:￥1.1836
10+:￥0.8914
30+:￥0.8377
100+:￥0.76048
500+:￥0.737297
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