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SI2302DDS-T1-GE3 /MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
SI2302DDS-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.9 A

Rds On-漏源导通电阻:57 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:5.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:860 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:13 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:8 mg

供应商SI2302DDS-T1-GE3
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SI2302DDS-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A(Tj) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO208.56 Kbytes共8页SI2302DDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2302DDS-T1-GE320V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5VSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO195.3 Kbytes共8页SI2302DDS-T1-GE3的PDF下载地址
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SI2302DDS-T1-GE3Siliconix / Vishay20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V+3000:$0.41
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SI2302DDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-231:¥4.068
10:¥2.7572
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500:¥1.5029
1,000:¥1.12209
3,000:¥1.03734
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SI2302DDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A(Tj) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:N沟道5+:¥0.784482
50+:¥0.592872
150+:¥0.557679
500+:¥0.522485
2500+:¥0.506844
5000+:¥0.499115