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SI2302CDS-T1-GE3 /MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
SI2302CDS-T1-GE3的规格信息
SI2302CDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.9 A

Rds On-漏源导通电阻:57 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:5.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:860 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:13 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:SI2302CDS-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2302CDS-T1-GE3
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深圳市威雅利发展有限公司SI2302CDS-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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深圳市芯幂科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司Si2302CDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
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13352985419
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2302CDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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13652405995
朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2302CDS-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城Si2302CDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司Si2302CDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2302CDS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2302CDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
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SI2302CDS-T1-GE3N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO118.01 Kbytes共5页SI2302CDS-T1-GE3的PDF下载地址SI1034X_05,SI1058X_08,SI7366DP_05,SI1958DH,SI5486DUV,SI9956DY,SI1300BDL,SI1988DH,SI4114DY,SI1400DL
SI2302CDS-T1-GE3N-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1048.02 Kbytes共9页SI2302CDS-T1-GE3的PDF下载地址
Si2302CDS-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO118.17 Kbytes共5页Si2302CDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2302CDS-T1-GE3.场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 2.9A, TO-236VISHAYVISHAY的LOGO209.62 Kbytes共8页SI2302CDS-T1-GE3.的PDF下载地址
SI2302CDS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Allied Electronics
SI2302CDS-T1-GE3Siliconix / Vishay20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V+3000:$0.82
+6000:$0.60
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SI2302CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V3000+:¥1.24
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Arrow(艾睿)
SI2302CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V3000+:¥1.24
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Avnet Express
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsVISSI2302CDS-T1-GE3 N-CHANNEL 20-V (D-S)3,000 : $0.0833
12,000 : $0.074
27,000 : $0.0667
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Avnet Express
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1656
14,999 : $0.1518
29,999 : $0.1491
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ChipOneStop
SI2302CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V3000+:¥1.24
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Digi-Key 得捷电子
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3$0.53000
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Digi-Key 得捷电子
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SI2302CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET3,000 : $0.169
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Digi-Key 得捷电子
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-315,000 : $0.1485
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Element_sh
SI2302CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V3000+:¥1.24
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element14 Asia-Pacific
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET 20V 2.9A TO-236
RoHS : Compliant
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Future Electronics
SI2302CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 20 V 0.057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
RoHS : Compliant
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Future(富昌)
SI2302CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V3000+:¥1.24
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Mouser 贸泽电子
SI2302CDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-231:¥4.068
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RS Components
SI2302CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 20V 2.6A SOT23价格未公开
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI2302CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V3000+:¥1.24
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Verical
SI2302CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R$0.1022
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立创商城
SI2302CDS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.423619
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立创商城
Si2302CDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:N沟道5+:¥0.644504
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5000+:¥0.396781