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SI2301BDS-T1-GE3 /MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V
SI2301BDS-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.2 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:4.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:0.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:6.5 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:SI2301BDS-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2301BDS-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市成源运利电子科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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13352985419
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深圳诚思涵科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳和润天下电子科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司Si2301BDS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SI2301BDS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312
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SI2301BDS-T1-GE3P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO213.22 Kbytes共9页SI2301BDS-T1-GE3的PDF下载地址
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Avnet Express
SI2301BDS-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel571 : $0.1513
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Avnet Express
SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1271
14,999 : $0.115
29,999 : $0.1135
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Digi-Key 得捷电子
SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3$0.53000
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Digi-Key 得捷电子
SI2301BDS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.24
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Digi-Key 得捷电子
SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-33,000 : $0.1705
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Element_sh
SI2301BDS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.241+:¥3.13
10+:¥2.07
100+:¥1.28
500+:¥1.15
1000+:¥0.9901
3000+:¥0.91
6000+:¥0.89
9000+:¥0.89
24000+:¥0.82013000+:¥0.63
12000+:¥0.620+:¥0.57
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element14 Asia-Pacific
SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixP CH MOSFET
RoHS : Compliant
20 : $0.49
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Future Electronics
SI2301BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi2301BDS Series P-Channel 20 V 100 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TO-236
RoHS : Compliant
3,000 : $0.0924
12,000 : $0.0889
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Future(富昌)
SI2301BDS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.241+:¥3.13
10+:¥2.07
100+:¥1.28
500+:¥1.15
1000+:¥0.9901
3000+:¥0.91
6000+:¥0.89
9000+:¥0.89
24000+:¥0.82013000+:¥0.63
12000+:¥0.6
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Mouser 贸泽电子
SI2301BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.9097
500:¥1.5594
3,000:¥1.09836
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子
SI2301BDS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.241+:¥3.13
10+:¥2.07
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1000+:¥0.9901
3000+:¥0.91
6000+:¥0.89
9000+:¥0.89
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SI2301BDS-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥4.66
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SI2301BDS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.502344
50+:¥0.368398
150+:¥0.343795
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