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SI2301 /MOSFET -20V -2.8A
SI2301的规格信息
SI2301的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Micro Commercial Components (MCC)

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.8 A

Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

系列:P-Channel Polarity

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Micro Commercial Components (MCC)

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:52 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:8 mg

供应商SI2301
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深圳市星宇佳科技有限公司SI2301深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2301深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI2301www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI2301ADS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2301深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2301航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SI2301(A1SHB)深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2301世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI2301BDS-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI2301深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI2301 3A深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2301ADS深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2301龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI2301BDS-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市兴中芯科技有限公司SI2301BDS-T1-E3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2301深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市赛美科科技有限公司SI2301广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2301BDS-T1-E3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI2301CDS-T1-GE3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
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SI2301P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]的LOGO728.09 Kbytes共6页SI2301的PDF下载地址
SI2301 3A类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,3A 工作温度:+150℃@(Tj)KUUKUU的LOGO1.66 Mbytes共2页SI2301 3A的PDF下载地址
SI2301_11P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor MCC[Micro Commercial Components]MCC[Micro Commercial Components]的LOGO330.46 Kbytes共5页SI2301_11的PDF下载地址
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Si2301ADSTriple-Supply Power Management IC for Powering FPGAs and DSPs TI[Texas Instruments]TI[Texas Instruments]的LOGO1312.98 Kbytes共29页Si2301ADS的PDF下载地址
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SI2301ADS-T1VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO893.4 Kbytes共9页SI2301ADS-T1的PDF下载地址
SI2301ADS-T1-GE3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1035.17 Kbytes共9页SI2301ADS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2301A-TP连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道MCC(美微科)MCC(美微科)的LOGO333.39 Kbytes共5页SI2301A-TP的PDF下载地址
SI2301B连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A(Tj) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO1.27 Mbytes共2页SI2301B的PDF下载地址
SI2301BDP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO59.87 Kbytes共5页SI2301BD的PDF下载地址SI5443DC,SI1039X,SI5903DC,SI2301ADS,SI4493DY,SI1303DL,SI1903DL,SI6562DQ,SI4562DY,SI4463BDY
SI2301BDSP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO59.87 Kbytes共5页SI2301BDS的PDF下载地址SI5443DC,SI1039X,SI5903DC,SI2301ADS,SI4493DY,SI1303DL,SI1903DL,SI6562DQ,SI4562DY,SI4463BDY
SI2301BDSP-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO213.22 Kbytes共9页SI2301BDS的PDF下载地址
SI2301BDSP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO93.77 Kbytes共6页SI2301BDS的PDF下载地址SI9933BDY,SI9934DY,SI4963BDY_07,SI3445DV,SI9925DY,SI6467DQ,SI1469DH,FDMA291P,NTGD4161P_06,NTLTS3107P_05
SI2301BDSP-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO213.22 Kbytes共9页SI2301BDS的PDF下载地址
SI2301BDS_08P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO93.77 Kbytes共6页SI2301BDS_08的PDF下载地址SI9933BDY,SI9934DY,SI4963BDY_07,SI3445DV,SI9925DY,SI6467DQ,SI1469DH,FDMA291P,NTGD4161P_06,NTLTS3107P_05
SI2301BDS-T1P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO59.87 Kbytes共5页SI2301BDS-T1的PDF下载地址SI5443DC,SI1039X,SI5903DC,SI2301ADS,SI4493DY,SI1303DL,SI1903DL,SI6562DQ,SI4562DY,SI4463BDY
SI2301BDS-T1-BE3表面贴装型 P 通道 20 V 2.2A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO174.72 Kbytes共8页SI2301BDS-T1-BE3的PDF下载地址
SI2301BDS-T1-E3P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO213.22 Kbytes共9页SI2301BDS-T1-E3的PDF下载地址
SI2301BDS-T1-GE3P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO213.22 Kbytes共9页SI2301BDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2301BDS-T1-GE3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1035.15 Kbytes共9页SI2301BDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2301CDSP-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO103.45 Kbytes共6页SI2301CDS的PDF下载地址SI5945DU,SI1913EDH_08,SI7601DN,SI1067X,SI7703EDN,SI6983DQ,SI1069X,SI1967DH,SIA811DJ,SI2351DS
SI2301CDSHalogen-free Option Available TrenchFET® Power MOSFET TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO151.57 Kbytes共2页SI2301CDS的PDF下载地址
Si2301CDSP-Channel 20 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO203.38 Kbytes共9页Si2301CDS的PDF下载地址
SI2301CDS_17P-Channel 20 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO203.38 Kbytes共9页SI2301CDS_17的PDF下载地址
SI2301的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI2301BDS-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.08Ohm,ID -2.2A,TO-236 (SOT-23),PD 0.7W,VGS +/-8V+1:$0.32
+25:$0.31
+100:$0.30
+250:$0.28
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI2301CDS-T1-E3Siliconix / Vishay20V 3.1A 1.6W 112mohm @ 4.5V+3000:$0.35
+6000:$0.32
+12000:$0.28
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI2301CDS-T1-GE3Siliconix / VishaySI2301CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 2.3 A; 20 V; 3-Pin SOT-23+3000:$0.70
+6000:$0.47
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
SI2301BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.0A 0.9W3000+:¥0.71
6000+:¥0.6699
15000+:¥0.61
30000+:¥0.57
75000+:¥0.51
150000+:¥0.491+:¥3.13
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500+:¥1.15
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24000+:¥0.820150+:¥1.02
500+:¥1
1000+:¥0.873000+:¥0.58
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15000+:¥0.9901
30000+:¥0.97
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
SI2301CDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112mohm @ 4.5V3000+:¥0.59
6000+:¥0.56
15000+:¥0.51
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10+:¥1.75
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500+:¥0.98
1000+:¥0.8399
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24000+:¥0.68995+:¥1.5199
50+:¥1.49
500+:¥1.4801
1000+:¥1.283000+:¥0.4801
9000+:¥0.47
15000+:¥0.451+:¥1.6501
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
SI2301CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V3000+:¥0.59
6000+:¥0.56
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24000+:¥0.9225+:¥0.78
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500+:¥0.76
2000+:¥0.663000+:¥0.47
12000+:¥0.451+:¥0.83991+:¥0.71
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Arrow(艾睿)
SI2301-TPMCCFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH -20V -2.8A 8S3000+:¥1.13
6000+:¥1.05
15000+:¥0.9901
30000+:¥0.93
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150000+:¥0.871+:¥2.78
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45000+:¥0.94
99000+:¥0.91+:¥0.6501
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Avnet Express
SI2301BDS-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.1376
5,999 : $0.117
8,999 : $0.0998
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Avnet Express
SI2301BDS-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET P-CH 20V 2.2A 3PIN TO-236 - Tape and Reel3,000 : $0.1271
14,999 : $0.115
29,999 : $0.1135
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2301BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsP-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET3,000 : $0.15
12,000 : $0.1334
27,000 : $0.12
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2301BDS-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel571 : $0.1513
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SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1271
14,999 : $0.115
29,999 : $0.1135
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Avnet Express
SI2301CDS-T1-E3Vishay SiliconixP-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1058
14,999 : $0.1006
29,999 : $0.0999
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2301CDS-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.09
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Avnet Express
SI2301CDS-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel23,999 : $0.0608
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Avnet Express
SI2301CDS-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.0836
14,999 : $0.0796
29,999 : $0.0788
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Avnet Express
SI2301CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsVISSI2301CDS-T1-GE3 P-CHANNEL 20 V (D-S)3,000 : $0.0833
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Bristol Electronics
SI2301BDS-T1Vishay Intertechnologies价格未公开
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Bristol Electronics
SI2301BDS-T1-E3VISHAY(RoHS)14 : $0.375
41 : $0.1875
268 : $0.1125
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Bristol Electronics
SI2301CDS-T1-GE3VISHAY(RoHS)9 : $0.6
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Bristol Electronics
SI2301DS-T1Vishay Siliconix648 : $0.132
1,403 : $0.1155
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Chip One Exchange
SI2301BDS-T1-E3Vishay Intertechnologies价格未公开
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SI2301BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET
RoHS : Compliant
3,000 : $0.136
6,000 : $0.128
12,000 : $0.0953
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Chip1Stop
SI2301CDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesUnidentified
RoHS : Compliant
3,000 : $0.198
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ChipOneStop
SI2301BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.0A 0.9W3000+:¥0.71
6000+:¥0.6699
15000+:¥0.61
30000+:¥0.57
75000+:¥0.51
150000+:¥0.491+:¥3.13
10+:¥2.07
100+:¥1.28
500+:¥1.15
1000+:¥0.9901
3000+:¥0.91
6000+:¥0.89
9000+:¥0.89
24000+:¥0.820150+:¥1.02
500+:¥1
1000+:¥0.87
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ChipOneStop
SI2301CDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112mohm @ 4.5V3000+:¥0.59
6000+:¥0.56
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ChipOneStop
SI2301CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V3000+:¥0.59
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Crestwood Technology Group
SI2301DSSILX价格未公开
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SI2301-3AMDDMOSFET SOT-23 P Channel 20V$0.12580
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SI2301A-TPMicro Commercial CoMOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23$0.51000
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SI2301BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-310 : $0.34
1 : $0.45
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SI2301BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3$0.42000
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SI2301BDS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.24
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SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-33,000 : $0.1705
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SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3$0.53000
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SI2301CDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-315,000 : $0.06975
6,000 : $0.0765
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SI2301CDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112mohm @ 4.5V3000+:¥0.59
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SI2301CDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3$0.49000
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SI2301CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3$0.49000
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SI2301CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET25 : $0.331
500 : $0.208
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SI2301CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-310 : $0.283
1 : $0.38
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SI2301S-2.3AMDDMOSFET SOT-23 P Channel 20V$0.08420
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SI2301-TPMicro Commercial CoMOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23$0.48000
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SI2301BDS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.241+:¥3.13
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Element_sh
SI2301CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V3000+:¥0.59
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element14 Asia-Pacific
SI2301BDS-T1-E3Vishay SiliconixP CH MOSFET FULL REEL
RoHS : Compliant
3,000 : $1.3
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element14 Asia-Pacific
SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixP CH MOSFET
RoHS : Compliant
20 : $0.49
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element14 Asia-Pacific
SI2301CDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P CH -20V -3.1A SOT-23
RoHS : Compliant
1 : $3.6
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9,000 : $1.37
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element14 Asia-Pacific
SI2301CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
RoHS : Compliant
1 : $1.41
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element14 Asia-Pacific
SI2301CDS-T1-GE3Vishay SiliconixP CHANNEL MOSFET -20V 3.1A TO-236 FUL
RoHS : Compliant
3,000 : $0.93
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Future Electronics
SI2301BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 20 V 0.1 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
RoHS : Compliant
12,000 : $0.0803
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Future Electronics
SI2301BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi2301BDS Series P-Channel 20 V 100 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TO-236
RoHS : Compliant
3,000 : $0.0924
12,000 : $0.0889
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
SI2301CDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesP-Channel 20 V112 mO 5.5 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - SOT-23
RoHS : Compliant
12,000 : $0.0672
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Future Electronics
SI2301CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 20 V 0.112 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
RoHS : Compliant
750 : $0.0909
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Future(富昌)
SI2301BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.0A 0.9W3000+:¥0.71
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Future(富昌)
SI2301BDS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.241+:¥3.13
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Future(富昌)
SI2301CDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112mohm @ 4.5V3000+:¥0.59
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Future(富昌)
SI2301CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V3000+:¥0.59
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Mouser 贸泽电子
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SI2301BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.0A 0.9W3000+:¥0.71
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Mouser 贸泽电子
SI2301BDS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.0A 0.9W1:¥3.2996
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Mouser 贸泽电子
SI2301BDS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.241+:¥3.13
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Mouser 贸泽电子
SI2301BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V1:¥3.2996
10:¥2.5538
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3,000:¥1.09836
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子
SI2301CDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112mohm @ 4.5V3000+:¥0.59
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SI2301CDS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-231:¥3.9211
10:¥2.6555
100:¥1.7854
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3,000:¥1.4351
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Mouser 贸泽电子
SI2301CDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-231:¥3.4578
10:¥2.6329
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500:¥1.2204
3,000:¥1.2204
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Mouser 贸泽电子
SI2301CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V3000+:¥0.59
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Mouser 贸泽电子
SI2301-TPMCCFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH -20V -2.8A 8S3000+:¥1.13
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Mouser 贸泽电子
SI2301-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET P-CH -20V -2.8A 8S1:¥4.3053
10:¥3.6386
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48,000:查看
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RS Components
SI2301BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-Channel 20V 2.2A SOT23价格未公开
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RS Components
SI2301CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-Channel 20V 2.3A SOT23价格未公开
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TME Electronic Components
SI2301CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTransistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1.6W; SOT231,000 : $0.06
3,000 : $0.054
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Tti
SI2301BDS-T1-E3Vishay Intertechnologies3000+:¥0.71
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元器件资料网-Tti的LOGO
Tti
SI2301CDS-T1-GE3Vishay Intertechnologies3000+:¥0.59
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Verical
SI2301BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R$0.0955
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI2301CDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112mohm @ 4.5V3000+:¥0.59
6000+:¥0.56
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75000+:¥0.43
150000+:¥0.411+:¥2.61
10+:¥1.75
100+:¥1.08
500+:¥0.98
1000+:¥0.8399
3000+:¥0.76
6000+:¥0.75
9000+:¥0.75
24000+:¥0.68995+:¥1.5199
50+:¥1.49
500+:¥1.4801
1000+:¥1.283000+:¥0.4801
9000+:¥0.47
15000+:¥0.451+:¥1.65011+:¥1.0099
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SI2301CDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R$0.1345
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SI2301CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V3000+:¥0.59
6000+:¥0.56
15000+:¥0.51
30000+:¥0.47
75000+:¥0.43
150000+:¥0.411+:¥2.55
10+:¥1.92
100+:¥1.43
500+:¥1.21
1000+:¥1.08
3000+:¥1.03
6000+:¥1.03
9000+:¥0.94
24000+:¥0.9225+:¥0.78
100+:¥0.77
500+:¥0.76
2000+:¥0.663000+:¥0.47
12000+:¥0.451+:¥0.83991+:¥0.7110+:¥2.26
25+:¥1.97
100+:¥1.38
250+:¥1.3301
500+:¥1.06
1000+:¥0.59
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SI2301CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R$0.073
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SI2301CDS-T1-GE3Vishay Intertechnologies-20V,-3.1A,P-Channel MOSFET价格未公开
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SI2301KEXIN(科信)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道20+:¥0.181956
200+:¥0.131976
600+:¥0.122796
2000+:¥0.113616
10000+:¥0.109536
20000+:¥0.10752
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SI2301BLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道20+:¥0.158971
200+:¥0.116473
600+:¥0.108667
2000+:¥0.100862
10000+:¥0.097393
20000+:¥0.095678
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SI2301MDDMOS(场效应管)20+:¥0.178064
200+:¥0.130583
600+:¥0.121862
2000+:¥0.113141
10000+:¥0.109265
20000+:¥0.10735
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SI2301Hottech(合科泰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道20+:¥0.175228
200+:¥0.131245
600+:¥0.123167
2000+:¥0.115088
10000+:¥0.111498
20000+:¥0.109724
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SI2301BORN伯恩半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道10+:¥0.224292
100+:¥0.166815
300+:¥0.156258
1000+:¥0.138416
5000+:¥0.133959
10000+:¥0.131756
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SI2301PUOLOP(迪浦)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:130mΩ @ 2.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 .20+:¥0.13611
200+:¥0.101124
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2000+:¥0.088272
10000+:¥0.085416
20000+:¥0.084004
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SI2301PUOLOP(迪浦)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 .20+:¥0.153467
200+:¥0.115982
600+:¥0.109097
2000+:¥0.102212
10000+:¥0.099152
20000+:¥0.09764
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SI2301FMS(台湾美丽微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道20+:¥0.179942
200+:¥0.13596
600+:¥0.127881
2000+:¥0.119803
10000+:¥0.116213
20000+:¥0.114439
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SI2301TWGMC(台湾迪嘉)MOS(场效应管)20+:¥0.152096
200+:¥0.112112
600+:¥0.104768
2000+:¥0.097424
10000+:¥0.09416
20000+:¥0.092547
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SI2301FM富满连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):10V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道20+:¥0.103618
200+:¥0.078564
600+:¥0.073962
2000+:¥0.06936
10000+:¥0.067315
20000+:¥0.066304
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SI2301AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:142mΩ @ 2A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道20+:¥0.18578
200+:¥0.13869
600+:¥0.130041
2000+:¥0.121392
10000+:¥0.117548
20000+:¥0.115649
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SI2301ADS-T1VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.458312
50+:¥0.33866
150+:¥0.316683
500+:¥0.294706
2500+:¥0.284938
5000+:¥0.280112
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SI2301A-TPMCC(美微科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道10+:¥0.238967
100+:¥0.173631
300+:¥0.161631
1000+:¥0.149631
5000+:¥0.144297
10000+:¥0.141662
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SI2301BUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A(Tj) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道20+:¥0.18465
200+:¥0.138622
600+:¥0.130168
2000+:¥0.121713
10000+:¥0.117956
20000+:¥0.116099
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SI2301BDS-T1-E3VISHAY(威世)MOS(场效应管)1+:¥1.0356
10+:¥0.7912
30+:¥0.7463
100+:¥0.680358
500+:¥0.661055
1000+:¥0.651452
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SI2301BDS-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥4.66
200+:¥1.81
500+:¥1.74
1000+:¥1.71