| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI2302CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 250 : $0.12
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|
Allied Electronics | SI2302CDS-T1-E3 | Siliconix / Vishay | 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | +3000:$0.35
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Allied Electronics | SI2302CDS-T1-GE3 | Siliconix / Vishay | 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | +3000:$0.82
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Allied Electronics | SI2302DDS-T1-GE3 | Siliconix / Vishay | 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | +3000:$0.41
+6000:$0.34
+12000:$0.28 |
Am2 | SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥0.63
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Am2 | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.24
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Arrow(艾睿) | SI2302ADS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 | 100+:￥2.63
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Arrow(艾睿) | SI2302ADS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 | 价格未公开 |
Arrow(艾睿) | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.24
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|
Avnet Express | SI2302CDS-T1-E3 | Vishay Semiconductors | TRANS MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-PIN SOT-23 | 3,000 : $0.162
|
Avnet Express | SI2302CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | 3,000 : $0.1656
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|
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Bristol Electronics | SI2302ADS-T1 | Vishay Intertechnologies | | 价格未公开 |
ChipOneStop | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.24
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Digi-Key 得捷电子 | SI2302ADS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | Obsolete |
Digi-Key 得捷电子 | SI2302ADS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 | 价格未公开 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥0.63
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|
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Digi-Key 得捷电子 | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.24
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|
Digi-Key 得捷电子 | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 | 15,000 : $0.1485
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|
Digi-Key 得捷电子 | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 | $0.53000 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2302DS,215 | NXP Semiconductors | FET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRENCH 20V 2.5A | 12000+:￥0.8399
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Digi-Key 得捷电子 | SI2302DS,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB | Obsolete |
Digi-Key 得捷电子 | SI2302DS,215 | NXP USA Inc. | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | $0.09000 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2302-TP | MCC | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S | 1+:￥3.56
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Digi-Key 得捷电子 | SI2302-TP | Micro Commercial Components | MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 | 100 : $0.309
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|
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|
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|
Future Electronics | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 20 V 0.057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
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|
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|
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Future(富昌) | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.24
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48,000:查看
|
Mouser 贸泽电子 | SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥0.63
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Mouser 贸泽电子 | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.24
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Mouser 贸泽电子 | SI2302-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S | 1:¥4.3053
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48,000:查看
|
Mouser 贸泽电子 | SI2302-TP | MCC | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S | 1+:￥3.56
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RS Components | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Channel 20V 2.6A SOT23 | 价格未公开 |
Tti | SI2302ADS-T1 | Vishay Intertechnologies | | 100+:￥2.63
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100 |
Tti | SI2302ADS-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | | 100+:￥2.63
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100 |
Verical | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.24
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6000+:￥1.1799
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10+:￥2.4
100+:￥1.971+:￥1.291+:￥0.76 |
Verical | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | $0.1022
|
立创商城 | SI2302 | PUOLOP(迪浦) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 . | 20+:￥0.182613
200+:￥0.137631
600+:￥0.129369
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20000+:￥0.115621
|
立创商城 | SI2302 | Hottech(合科泰) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 50uA 漏源导通电阻：72mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道 | 20+:￥0.181775
200+:￥0.137792
600+:￥0.129713
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10000+:￥0.118044
20000+:￥0.11627
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立创商城 | SI2302 | PUOLOP(迪浦) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 50uA 漏源导通电阻：72mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 . | 20+:￥0.175
200+:￥0.140014
600+:￥0.133588
2000+:￥0.127162
10000+:￥0.124306
20000+:￥0.122895
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立创商城 | SI2302 | MDD | MOS(场效应管) | 20+:￥0.181066
200+:￥0.136084
600+:￥0.127822
2000+:￥0.11956
10000+:￥0.115888
20000+:￥0.114073
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立创商城 | SI2302 | BORN伯恩半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | 10+:￥0.221625
100+:￥0.166647
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1000+:￥0.146451
5000+:￥0.141963
10000+:￥0.139746
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立创商城 | SI2302 | PUOLOP(迪浦) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 . | 20+:￥0.151554
200+:￥0.11157
600+:￥0.104226
2000+:￥0.096882
10000+:￥0.093618
20000+:￥0.092005
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立创商城 | SI2302 | FMS(台湾美丽微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 | 20+:￥0.122357
200+:￥0.088371
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立创商城 | SI2302 | BLUE ROCKET(蓝箭) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 50uA 漏源导通电阻：115mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道 | 20+:￥0.153954
200+:￥0.11397
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立创商城 | SI2302 | TWGMC(台湾迪嘉) | MOS(场效应管) | 20+:￥0.180614
200+:￥0.133133
600+:￥0.124412
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10000+:￥0.111815
20000+:￥0.1099
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立创商城 | SI2302 | KEXIN(科信) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | 20+:￥0.188518
200+:￥0.138538
600+:￥0.129358
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10000+:￥0.116098
20000+:￥0.114082
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立创商城 | SI2302A | UMW(友台半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：115mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | 20+:￥0.177436
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20000+:￥0.103
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立创商城 | SI2302ADS-T1 | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 5+:￥0.458312
50+:￥0.33866
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立创商城 | SI2302A-TP | MCC(美微科) | MOS(场效应管) | 1+:￥0.8446
10+:￥0.6067
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立创商城 | SI2302B | UMW(友台半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 50uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道 | 20+:￥0.165286
200+:￥0.119885
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10000+:￥0.099501
20000+:￥0.09767
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立创商城 | SI2302CDS-T1-E3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：710mW 类型：N沟道 | 1+:￥1.1466
10+:￥0.8699
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立创商城 | SI2302CDS-T1-GE3 | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 5+:￥0.423619
50+:￥0.310664
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立创商城 | Si2302CDS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：710mW 类型：N沟道 | 5+:￥0.644504
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立创商城 | SI2302DDS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.9A(Tj) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：710mW 类型：N沟道 | 5+:￥0.784482
50+:￥0.592872
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立创商城 | SI2302DS-T1-GE3 | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 5+:￥0.428019
50+:￥0.318063
150+:￥0.297867
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5000+:￥0.26426
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立创商城 | SI2302S | BORN伯恩半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 | 20+:￥0.152877
200+:￥0.115392
600+:￥0.108507
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立创商城 | SI2302S | MDD | MOS(场效应管) | 20+:￥0.128002
200+:￥0.0956
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立创商城 | SI2302-TP | MCC(美微科) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 50uA 漏源导通电阻：72mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | 10+:￥0.27874
100+:￥0.208768
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1000+:￥0.183064
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