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SI2300A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 50uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
SI2300A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A

栅源极阈值电压1V @ 50uA

漏源导通电阻25mΩ @ 6A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)-

类型N沟道

供应商SI2300A
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SI2300A连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 50uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO2.10 Mbytes共4页SI2300A的PDF下载地址
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SI2300AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 50uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道10+:¥0.236186
100+:¥0.176112
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5000+:¥0.14914
10000+:¥0.146717