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SI2302A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:115mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
SI2302A的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.8A

栅源极阈值电压1.9V @ 250uA

漏源导通电阻115mΩ @ 3.1A,2.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W

类型N沟道

供应商SI2302A
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SI2302ADSN-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO56.69 Kbytes共4页SI2302ADS的PDF下载地址SI6926ADQ,SI9428DY,72413,SI6866DQ,SI426DQ,SI2301DS,SI5904DC,SI5404BDC,SI6925ADQ,SI6866BDQ
SI2302ADSN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO205.23 Kbytes共8页SI2302ADS的PDF下载地址
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SI2302A的全球分销商及价格
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SI2302ADS-T1VishayFET - 单 - 分立半导体产品100+:¥2.63
200+:¥2.41
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SI2302ADS-T1-E3Vishay SemiconductorsN-Ch MOSFET SOT-23 20V 85mohm @ 4.5V L/F3,000 : $0.114
12,000 : $0.1014
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SI2302ADS-T1Vishay Intertechnologies价格未公开
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SI2302ADS-T1VishayFET - 单 - 分立半导体产品100+:¥2.63
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SI2302ADS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3Obsolete
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SI2302ADS-T1-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品价格未公开
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SI2302ADS-T1-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品价格未公开
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Mouser 贸泽电子
SI2302A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET P-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package1:¥5.0737
10:¥3.9437
100:¥2.712
1,000:¥1.4012
30,000:¥1.09836
48,000:查看
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Tti
SI2302ADS-T1Vishay Intertechnologies100+:¥2.63
200+:¥2.41
400+:¥2.2
100
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Tti
SI2302ADS-T1-E3Vishay Intertechnologies100+:¥2.63
200+:¥2.41
400+:¥2.2
100
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立创商城
SI2302AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:115mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道20+:¥0.177436
200+:¥0.127456
600+:¥0.118276
2000+:¥0.109096
10000+:¥0.105016
20000+:¥0.103
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立创商城
SI2302ADS-T1VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.458312
50+:¥0.33866
150+:¥0.316683
500+:¥0.294706
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5000+:¥0.280112
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SI2302A-TPMCC(美微科)MOS(场效应管)1+:¥0.8446
10+:¥0.6067
30+:¥0.563
100+:¥0.5193
500+:¥0.4999
1000+:¥0.4903