Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：500
FET 型
：2 N-Channel (Dual)
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：6.5A
Rds（最大）@ ID，VGS：20 mOhm @ 12.6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：36.8nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：1890pF @ 15V
功率 - 最大：1.25W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装：8-SOP
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：8SOIC
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：30 V
最大连续漏极电流：8.5 A
RDS -于：20@10V mOhm
最大门源电压：±12 V
典型导通延迟时间：5.2 ns
典型上升时间：6.1 ns
典型关闭延迟时间：38.1 ns
典型下降时间：20.2 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±12
包装宽度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2150
最大漏源电压：30
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：20@10V
每个芯片的元件数：2
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOIC
标准包装名称：SOIC
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：5(Max)
引脚数：8
包装高度：1.5(Max)
最大连续漏极电流：8.5
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
P（ TOT ）：2.15W
匹配代码：ZXMN3A04DN8TA
LogicLevel：NO
单位包：500
标准的提前期：16 weeks
最小起订量：500
无铅Defin：RoHS-conform
汽车：NO
我（D ）：8.5A
V（ DS ）：30V
的RDS（on ） at10V：0.02Ohm
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：6.5A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA
供应商设备封装：8-SOP
其他名称：ZXMN3A04DN8TR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：20 mOhm @ 12.6A, 10V
FET型：2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：1.25W
漏极至源极电压（Vdss）：30V
输入电容（Ciss ） @ VDS：1890pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS：36.8nC @ 10V
封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：500
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual Dual Drain
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：8.5 A
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：30 mOhms
功率耗散：2.15 W
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：SOIC-8
上升时间：6.1 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：30 V
RoHS：RoHS Compliant
下降时间：20.2 ns
栅源电压（最大值）：�12 V
漏源导通电阻：0.02 ohm
工作温度范围：-55C to 150C
包装类型：SOIC
极性：N
类型：Power MOSFET
元件数：2
工作温度分类：Military