Rohs：Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装：3,000

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 4A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：3.1nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：299pF @ 15V

功率 - 最大：1.5W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-MLP

供应商器件封装：8-MLP (3x2)

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

最大门源电压：±12

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

通道模式：Enhancement

最低工作温度：-55

包装高度：1(Max)

安装：Surface Mount

最大功率耗散：3000

渠道类型：N

封装：Tape and Reel

最大漏源电阻：120@4.5V

最大漏源电压：20

每个芯片的元件数：2

包装宽度：2

供应商封装形式：MLP

包装长度：3

PCB：8

最大连续漏极电流：3.7

引脚数：8

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.9A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250µA

供应商设备封装：8-MLP (3x2)

其他名称：ZXMN2AM832TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 4A, 4.5V

FET型：2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：1.5W

标准包装：3,000

漏极至源极电压（Vdss）：20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：299pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：3.1nC @ 4.5V

封装/外壳：8-MLP

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：3000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

配置：Dual Dual Drain

源极击穿电压：+/- 12 V

连续漏极电流：3.7 A

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：120 mOhms

功率耗散：3 W

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：MLP-8

典型关闭延迟时间：1.55 ns

上升时间：2.6 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：20 V