Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：8.3A
Rds（最大）@ ID，VGS：20 mOhm @ 11A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：18.9nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的：1900pF @ 10V
功率 - 最大：1.56W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装：8-SOP
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：8SOIC
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：20 V
最大连续漏极电流：10.2 A
RDS -于：20@4.5V mOhm
最大门源电压：±12 V
典型导通延迟时间：7.9 ns
典型上升时间：10 ns
典型关闭延迟时间：33.3 ns
典型下降时间：13.6 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±12
包装宽度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2500
最大漏源电压：20
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：20@4.5V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOIC
标准包装名称：SOIC
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：5(Max)
引脚数：8
包装高度：1.5(Max)
最大连续漏极电流：10.2
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
P（ TOT ）：1.56W
匹配代码：ZXMN2A02N8TA
R（ THJC ）：n.s.K/W
LogicLevel：YES
单位包：500
标准的提前期：16 weeks
最小起订量：1000
Q（克）：18.9nC
LLRDS （上）：0.02Ohm
汽车：NO
LLRDS （上）在：4,5.V
我（D ）：10.2A
V（ DS ）：20V
技术：Trench
的RDS（on ） at10V：0.02Ohm
无铅Defin：RoHS-conform
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：8.3A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250µA
供应商设备封装：8-SOP
其他名称：ZXMN2A02N8TR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：20 mOhm @ 11A, 4.5V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.56W
漏极至源极电压（Vdss）：20V
输入电容（Ciss ） @ VDS：1900pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS：18.9nC @ 4.5V
封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：500
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
配置：Single Quad Drain Triple Source
源极击穿电压：+/- 12 V
连续漏极电流：10.2 A
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：40 mOhms
功率耗散：1.56 W
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：SO-8
上升时间：10 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：20 V
RoHS：RoHS Compliant