Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：3,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.4A
Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：3.9nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：190pF @ 25V
功率 - 最大：1.1W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-23-6
供应商器件封装：SOT-23-6
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：6SOT-23
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：30 V
最大连续漏极电流：3 A
RDS -于：120@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：1.7 ns
典型上升时间：2.3 ns
典型关闭延迟时间：6.6 ns
典型下降时间：2.9 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±20
包装宽度：1.8(Max)
PCB：6
最大功率耗散：1700
最大漏源电压：30
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：120@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOT-23
标准包装名称：SOT-23
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：3.1(Max)
引脚数：6
包装高度：1.3(Max)
最大连续漏极电流：3
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
P（ TOT ）：1.1W
匹配代码：ZXMN3A01E6
单位包：3000
标准的提前期：99 weeks
最小起订量：3000
极化：N-CHANNEL
无铅Defin：RoHS-conform
我（D ）：3A
V（ DS ）：30V
R（ DS上）：0.12Ohm
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.4A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA
供应商设备封装：SOT-23-6
其他名称：ZXMN3A01E6TR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.1W
漏极至源极电压（Vdss）：30V
输入电容（Ciss ） @ VDS：190pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS：3.9nC @ 10V
封装/外壳：SOT-23-6
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：3000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
配置：Single Quad Drain
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：3 A
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：180 mOhms
功率耗散：1.1 W
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：SOT-23-6
上升时间：2.3 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：30 V
RoHS：In Transition
下降时间：2.3 ns
栅源电压（最大值）：�20 V
漏源导通电阻：0.12 ohm
工作温度范围：-55C to 150C
包装类型：SOT-23
极性：N
类型：Power MOSFET
元件数：1
工作温度分类：Military