标准包装：3,000

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 4A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：3.1nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：299pF @ 15V

功率 - 最大：1.5W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装：8-DFN (3x2)

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

动态目录：N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16697?mpart=ZXMN2AMCTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：8DFN EP

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：20 V

最大连续漏极电流：3.7 A

RDS -于：120@4.5V mOhm

最大门源电压：±12 V

典型导通延迟时间：2.3 ns

典型上升时间：2.6 ns

典型关闭延迟时间：1.6 ns

典型下降时间：1.3 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±12

包装宽度：2

PCB：8

最大功率耗散：2450

最大漏源电压：20

欧盟RoHS指令：Compliant

最大漏源电阻：120@4.5V

每个芯片的元件数：2

最低工作温度：-55

供应商封装形式：DFN EP

标准包装名称：DFN

最高工作温度：150

渠道类型：N

包装长度：3

引脚数：8

包装高度：0.78

最大连续漏极电流：3.7

封装：Tape and Reel

铅形状：No Lead

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.9A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250µA

供应商设备封装：8-DFN (3x2)

其他名称：ZXMN2AMCTATR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 4A, 4.5V

FET型：2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：1.5W

漏极至源极电压（Vdss）：20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：299pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：3.1nC @ 4.5V

封装/外壳：8-WDFN Exposed Pad

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

产品种类：MOSFET

RoHS：RoHS Compliant

连续漏极电流：3.7 A

栅源电压（最大值）：�12 V

功率耗散：2.45 W

工作温度范围：-55C to 150C

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：2

工作温度分类：Military

漏源导通电压：20 V