标准包装：1,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：3.3A

Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：2.6nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：186pF @ 25V

功率 - 最大：970mW

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

动态目录：N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16095?mpart=ZXMN3A01ZTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

P（ TOT ）：0.97W

匹配代码：ZXMN3A01ZTA

包装：SOT23

单位包：1000

标准的提前期：16 weeks

最小起订量：2000

极化：N-CHANNEL

无铅Defin：RoHS-conform

我（D ）：2.7A

V（ DS ）：30V

R（ DS上）：0.12Ohm

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.2A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

供应商设备封装：SOT-89

其他名称：ZXMN3A01ZTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：970mW

标准包装：1,000

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：186pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：2.6nC @ 4.5V

封装/外壳：TO-243AA

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：SMD/SMT

配置：Single

晶体管极性：P-Channel

连续漏极电流：3.3 A

RDS（ON）：120 mOhms

功率耗散：0.97 W

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：SOT-89

栅极电荷Qg：2.6 nC

典型关闭延迟时间：13.5 ns

上升时间：4.1 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：30 V

RoHS：RoHS Compliant