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ZXMN3A03E6TA /MOSFET 30V N Chnl UMOS
ZXMN3A03E6TA的规格信息
ZXMN3A03E6TA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-26-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:4.6 A

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.3 mm

长度:3.1 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:ZXMN3A

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.8 mm

商标:Diodes Incorporated

下降时间:6.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:2.9 ns

单位重量:15 mg

供应商ZXMN3A03E6TA
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京海半导体(深圳)有限公司ZXMN3A03E6TA坂田街道五和大道山海大厦C栋70613424293273
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市成源运利电子科技有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
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深圳市天卓伟业电子有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城ZXMN3A03E6TA深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳诚思涵科技有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市拓亿芯电子有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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芯莱德电子(香港)有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419
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深圳市宇浩扬科技有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳市毅创腾电子科技有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市高捷半导体有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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深圳市骏凯诚科技有限公司ZXMN3A03E6TA深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995
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深圳市科思奇电子科技有限公司ZXMN3A03E6TA上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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ZXMN3A03E6TA30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO926.0 Kbytes共7页ZXMN3A03E6TA的PDF下载地址ZXMN3A01E6,ZXMN3A01F,ZXMN3A02X8,ZXMN3A04DN8,ZXMN3A14F,ZXMN3B01F,ZXMN3A06DN8,ZXMN3AM832,ZXM61N03F
ZXMN3A03E6TA30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO190.03 Kbytes共7页ZXMN3A03E6TA的PDF下载地址ZXMD65N03N8,ZXMN2B03E6,ZXMN2B14FH,PJP75N75,APM7312,2N6796,ZXMS6003G,PJD15N06L,ZXMN10A08G,PJD09N03
ZXMN3A03E6TA30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO196.96 Kbytes共7页ZXMN3A03E6TA的PDF下载地址
ZXMN3A03E6TA的全球分销商及价格
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Allied Electronics
ZXMN3A03E6TADiodes IncMOSFET N-Channel 30V 4.6A SOT23-6+50:$0.65
+200:$0.57
+500:$0.51
+1000:$0.46
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Allied Electronics
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-Channel 30V 4.6A SOT23-61,000 : $0.43
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Avnet Express
ZXMN3A03E6TADiodes Incorporated3,000 : $0.3428
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ChipOneStop
ZXMN3A03E6TADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Chnl UMOS3000+:¥2.21
6000+:¥2.06
15000+:¥1.9901
30000+:¥1.91
75000+:¥1.87
150000+:¥1.83991+:¥4.9901
10+:¥3.88
100+:¥2.51
1000+:¥2.26
3000+:¥2.08
9000+:¥2.06
24000+:¥1.98
45000+:¥1.94
99000+:¥1.923000+:¥1.9
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Digi-Key 得捷电子
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6$0.87000
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Digi-Key 得捷电子
ZXMN3A03E6TADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Chnl UMOS3000+:¥2.21
6000+:¥2.06
15000+:¥1.9901
30000+:¥1.91
75000+:¥1.87
150000+:¥1.8399
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Digi-Key 得捷电子
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-610 : $0.714
1 : $0.81
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Future Electronics
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedZXMN3A3E6 Series 30 V 0.05 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
RoHS : Compliant
1 : $0.4222
60 : $0.4167
750 : $0.3722
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Future(富昌)
ZXMN3A03E6TADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Chnl UMOS3000+:¥2.21
6000+:¥2.06
15000+:¥1.9901
30000+:¥1.91
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Mouser 贸泽电子
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedMOSFET 30V N Chnl UMOS1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
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3,000:¥2.5764
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Mouser 贸泽电子
ZXMN3A03E6TADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Chnl UMOS3000+:¥2.21
6000+:¥2.06
15000+:¥1.9901
30000+:¥1.91
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150000+:¥1.83991+:¥4.9901
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99000+:¥1.92
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RS Components
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-Channel 30V 4.6A SOT23-6价格未公开
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Verical
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R$0.273
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
ZXMN3A03E6TADIODES ZETEX3000+:¥2.21
6000+:¥2.06
15000+:¥1.9901
30000+:¥1.91
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立创商城
ZXMN3A03E6TADIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:N沟道1+:¥5.52
10+:¥5.37