Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：10,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：3.7A

Rds（最大）@ ID，VGS：55 mOhm @ 7.2A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：8.2nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：837pF @ 10V

功率 - 最大：1.1W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-23-6

供应商器件封装：SOT-23-6

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：3.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250µA

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：55 mOhm @ 7.2A, 4.5V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：1.1W

标准包装：10,000

漏极至源极电压（Vdss）：20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：837pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：8.2nC @ 4.5V