FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）2.8nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）277pF @ 10V

功率耗散（最大值）1.35W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）60 毫欧 @ 2.5A，4.5V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装DFN322

封装/外壳3-VDFN

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs4.5V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds10V

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs