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ZXMN10A08GTA /MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET
ZXMN10A08GTA的规格信息
ZXMN10A08GTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:2.9 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:7.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.65 mm

长度:6.7 mm

系列:ZXMN10

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:5 S

下降时间:3.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.2 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8 ns

典型接通延迟时间:3.4 ns

单位重量:112 mg

供应商ZXMN10A08GTA
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深圳市成源运利电子科技有限公司ZXMN10A08GTA深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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ZXMN10A08GTA100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO440.32 Kbytes共8页ZXMN10A08GTA的PDF下载地址IXTQ50N20P,PJP75N75,APM7312,2N6796,PJD15N06L,PJD09N03,PJD03N03,PJD06N03,PJP75N06,IRF630FI
ZXMN10A08GTA100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO447.16 Kbytes共8页ZXMN10A08GTA的PDF下载地址
ZXMN10A08GTA的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Avnet Express
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedZETEX 100V N CHANNEL MOSFET 1K - Tape and Reel1,000 : $0.2497
4,999 : $0.2262
9,999 : $0.2209
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Future Electronics
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedN-Channel 100 V 0.25 Ohm Power MOSFET Surface Mount -SOT-223-3
RoHS : Compliant
1,000 : $0.2389
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ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedMOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET1:¥5.2997
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
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Rutronik
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedN-CH 100V 2.9A 250mOhm SOT223 RoHSconf价格未公开
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Verical
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R$0.208
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立创商城
ZXMN10A08GTADIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道1+:¥1.968
10+:¥1.432
30+:¥1.328
100+:¥1.232
500+:¥1.192
1000+:¥1.168