包装：6SOT-23

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：20 V

最大连续漏极电流：2.1 A

RDS -于：200@4.5V mOhm

最大门源电压：±8 V

典型导通延迟时间：2 ns

典型上升时间：3.2 ns

典型关闭延迟时间：12.7 ns

典型下降时间：6.2 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

RoHS：RoHS Compliant

封装：Reel

单位包：3000

最小起订量：3000

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

供应商设备封装：SOT-23-6

其他名称：ZXMN2088DE6TADI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：200 mOhm @ 1A, 4.5V

FET型：2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：900mW

漏极至源极电压（Vdss）：20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：279pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：3.8nC @ 4.5V

封装/外壳：SOT-23-6

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

连续漏极电流：2.1 A

栅源电压（最大值）：�8 V

功率耗散：1.3 W

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：SOT-23

引脚数：6

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：2

工作温度分类：Military

漏源导通电压：20 V

弧度硬化：No