Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4.2A
Rds（最大）@ ID，VGS：125 mOhm @ 2.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：17.16nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：859pF @ 50V
功率 - 最大：2.11W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装：TO-252-3
包装材料
：Tape & Reel (TR)
FET Feature：Logic Level Gate
Packaging：Tape & Reel (TR)
Mounting Type：Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：4.2A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250µA
Supplier Device Package：TO-252-3
Other Names：ZXMN10A25KTR
Rds On (Max) @ Id, Vgs：125 mOhm @ 2.9A, 10V
FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Power - Max：2.11W
Standard Package：2,500
Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：859pF @ 50V
Gate Charge (Qg) @ Vgs：17.16nC @ 10V
Package/Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
rohs：Lead free / RoHS Compliant