Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,500

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：5A

Rds（最大）@ ID，VGS：85 mOhm @ 4.6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：26nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：1313pF @ 50V

功率 - 最大：2.15W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：TO-252-3

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：3DPAK

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：100 V

最大连续漏极电流：7.7 A

RDS -于：85@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：6.8 ns

典型上升时间：5.3 ns

典型关闭延迟时间：27.5 ns

典型下降时间：12.3 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±20

包装宽度：6.22(Max)

PCB：2

最大功率耗散：10100

最大漏源电压：100

欧盟RoHS指令：Compliant

最大漏源电阻：85@10V

每个芯片的元件数：1

最低工作温度：-55

供应商封装形式：DPAK

标准包装名称：DPAK

最高工作温度：150

渠道类型：N

包装长度：6.73(Max)

引脚数：3

包装高度：2.39(Max)

最大连续漏极电流：7.7

封装：Tape and Reel

标签：Tab

铅形状：Gull-wing

P（ TOT ）：10.1W

匹配代码：ZXMN10A09KTC

LogicLevel：NO

单位包：2500

标准的提前期：16 weeks

最小起订量：2500

无铅Defin：RoHS-conform

汽车：NO

我（D ）：7.7A

V（ DS ）：100V

的RDS（on ） at10V：0.085Ohm

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250µA

供应商设备封装：TO-252-3

其他名称：ZXMN10A09KTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：85 mOhm @ 4.6A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2.15W

漏极至源极电压（Vdss）：100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：1313pF @ 50V

闸电荷（Qg ） @ VGS：26nC @ 10V

封装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：2500

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

配置：Single

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：7.7 A

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：100 mOhms

功率耗散：10.1 W

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：TO-252

上升时间：5.3 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：100 V

RoHS：In Transition

下降时间：12.3 ns

栅源电压（最大值）：�20 V

漏源导通电阻：0.085 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：DPAK