Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：10,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：1.5A
Rds（最大）@ ID，VGS：250 mOhm @ 3.2A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：7.7nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：405pF @ 50V
功率 - 最大：1.1W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-23-6
供应商器件封装：SOT-23-6
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：6SOT-23
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：100 V
最大连续漏极电流：3.5 A
RDS -于：250@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：3.4 ns
典型上升时间：2.2 ns
典型关闭延迟时间：8 ns
典型下降时间：3.2 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±20
包装宽度：1.8(Max)
PCB：6
最大功率耗散：1700
最大漏源电压：100
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：250@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOT-23
标准包装名称：SOT-23
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：3.1(Max)
引脚数：6
包装高度：1.3(Max)
最大连续漏极电流：3.5
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
单位包：10000
最小起订量：10000
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1.5A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250µA
封装/外壳：SOT-23-6
供应商设备封装：SOT-23-6
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：250 mOhm @ 3.2A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.1W
漏极至源极电压（Vdss）：100V
输入电容（Ciss ） @ VDS：405pF @ 50V
闸电荷（Qg ） @ VGS：7.7nC @ 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：10000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
配置：Single Quad Drain
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：1.9 A
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：250 mOhms
功率耗散：1.1 W
最低工作温度：- 55 C
上升时间：2.2 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：100 V