TGF3015-SM的供应商，TGF3015-SM规格参数，TGF3015-SM的PDF资料

TGF3015-SM /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

TGF3015-SM的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:17.1 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:32 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 2.7 V

Id-连续漏极电流:557 mA

输出功率:11 W

Pd-功率耗散:15.3 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:QFN-EP-16

封装:Tray

配置:Single

工作频率:0.03 GHz to 3 GHz

商标:Qorvo

开发套件:TGF3015-SM-EVB1

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

零件号别名:1120419

TGF3015-SM

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TGF3015-SM	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市坤融电子有限公司	TGF3015-SM	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
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销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	TGF3015-SM	Qorvo	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN	1:¥445.672 25:¥391.884 100:¥345.78 250:¥315.044
Mouser 贸泽电子	TGF3015-SM-EVB	Qorvo	射频开发工具	价格未公开

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