FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 6V
功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.2 毫欧 @ 4A，8V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：6-UDFNB（2x2）
封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs