制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ES6-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:0.55 mm

长度:1.6 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:SSM6J51

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.2 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

单位重量:36 mg