数据列表：SSM6J505NU -

特色产品：Toshiba Low RDS(ON) P-Channel MOSFET

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：37.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2700pF @ 10V

功率 - 最大值：1.25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN（2x2）

其它名称：SSM6J505NU,LF(BSSM6J505NU,LF(TSSM6J505NULFSSM6J505NULFTR