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SSM6J50TU(TE85L,F) /MOSFET Vds=-20V Id=-2.5A 6Pin
SSM6J50TU(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:UF-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:49 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:0.7 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:SSM6J50

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.7 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

单位重量:36 mg

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