SQD10N30-330H_GE3
/MOSFET N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
SQD10N30-330H_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:300 V
Id-连续漏极电流:10 A
Rds On-漏源导通电阻:275 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3.4 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:47 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:107 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.38 mm
长度:6.73 mm
系列:SQ
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:6.22 mm
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:26 S
下降时间:8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:18 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:10 ns
单位重量:340 mg
SQD10N30-330H_GE3
SQD10N30-330H_GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SQD10N30-330H_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified | 1:¥11.6842 10:¥9.605 100:¥7.3337 500:¥6.3054 2,000:¥4.6443 4,000:查看
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