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SQD25N15-52-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQD25N15-52-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):150V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):51nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V

功率 - 最大值:107W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

供应商SQD25N15-52-GE3
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SQD25N15-52-GE3Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO158.31 Kbytes共9页SQD25N15-52-GE3的PDF下载地址
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SQD25N15-52-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥12.191+:¥12.57
10+:¥10.42
100+:¥9.39
250+:¥8.3501
500+:¥7.79
1000+:¥7.47
2000+:¥7.24
6000+:¥7
10000+:¥6.761+:¥15.04
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SQD25N15-52-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 150-V (D-S) 175C DEG MOSFET - Tape and Reel价格未公开
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SQD25N15-52-GE3Vishay SemiconductorsN-CHANNEL 150-V (D-S) 175C DEG MOSFET2,000 : $2.0
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SQD25N15-52-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 25A TO2522,000 : $1.6758
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SQD25N15-52-GE3Vishay SiliconixMOSFETN CHW DIODE150V25ATO-252
RoHS : Compliant
1 : $12.8
10 : $10.6
100 : $9.5
250 : $8.5
500 : $7.9
1,000 : $7.6
2,000 : $7.4
6,000 : $7.2
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