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SQD25N06-22L-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQD25N06-22L-GE3的规格信息
SQD25N06-22L-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1975pF @ 25V

功率 - 最大值:62W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

供应商SQD25N06-22L-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQD25N06-22L-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQD25N06-22L-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
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SQD25N06-22L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥4.541+:¥9.0299
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