SQD19P06-60L_T4GE3
/MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
SQD19P06-60L_T4GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:20 A
Rds On-漏源导通电阻:56 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:27 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:46 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SQ
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Vishay / Siliconix
下降时间:12 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:25 ns
典型接通延迟时间:7 ns
单位重量:340 mg
SQD19P06-60L_T4GE3
SQD19P06-60L_T4GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SQD19P06-60L_T4GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified | 1:¥12.2944 10:¥11.4469 100:¥8.3733 500:¥7.119 2,500:¥5.0624 5,000:查看
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