FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：535pF @ 25V

功率耗散（最大值）：37W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：42 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

Id-连续漏极电流：15A

Pd-功率耗散：37W

Qg-栅极电荷：15nC

Rds On-漏源导通电阻：36mOhms

Vds-漏源极击穿电压：60V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Vgs th-栅源极阈值电压：1.5V

上升时间：10ns

下降时间：8ns

典型关闭延迟时间：13ns

典型接通延迟时间：5ns

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：TO-252-3

晶体管极性：N-Channel

晶体管类型：1N-Channel

最大工作温度：+175C

最小工作温度：-55C

正向跨导 - 最小值：11S

系列：SQ

资格：AEC-Q101

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs