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SQD19P06-60L_GE3 /MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified
SQD19P06-60L_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:27 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:46 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:1.438 g

供应商SQD19P06-60L_GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQD19P06-60L_GE3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SQD19P06-60L-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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深圳市坤融电子有限公司SQD19P06-60L_GE3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市天卓伟业电子有限公司SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市德鸿芯科技有限公司SQD19P06-60L_GE3龙华新区民治樟坑东明大厦15399990331 18165780858陈梦,李丽skype:lili2269002025qq@hotmail.comEmail:13480623438@163.COM询价
上海三崧电子有限公司SQD19P06-60L_GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市赛美科科技有限公司SQD19P06-60L-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SQD19P06-60L_GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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集好芯城SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783
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深圳市百域芯科技有限公司SQD19P06-60L-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司SQD19P06-60L_GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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SQD19P06-60L_GE3MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO160.49 Kbytes共9页SQD19P06-60L_GE3的PDF下载地址
SQD19P06-60L_GE3MOSFET P-CH 60V 20A TO252Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO157.50 Kbytes共9页SQD19P06-60L_GE3的PDF下载地址
SQD19P06-60L_GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):46W 类型:P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO174.89 Kbytes共10页SQD19P06-60L_GE3的PDF下载地址
SQD19P06-60L-GE3Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO160.32 Kbytes共9页SQD19P06-60L-GE3的PDF下载地址
SQD19P06-60L_GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SQD19P06-60L-GE3Siliconix / VishaySQD19P06-60L_GE3 P-channel MOSFET Transistor; 11 A; 60 V; 3-Pin TO-252AA+2000:$1.09
+4000:$1.06
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Arrow(艾睿)
SQD19P06-60L-GE3Vishay半导体 MOSFET 60V 20A 46W P-Ch Automotive FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥4.281+:¥8.45
10+:¥6.78
100+:¥5.23
500+:¥4.63
1000+:¥4.5199
2000+:¥4.32
4000+:¥4.15
10000+:¥4.05
24000+:¥3.961+:¥4.811+:¥5.47
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SQD19P06-60L-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel2,000 : $0.62
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SQD19P06-60L-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 60-V (D-S), 175C MOSFET - Tape and Reel价格未公开
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop
SQD19P06-60L-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
RoHS : Compliant
2,000 : $0.598
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SQD19P06-60L_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 20A TO252$1.52000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SQD19P06-60L-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 20A TO2522,000 : $0.588
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SQD19P06-60L-GE3Vishay半导体 MOSFET 60V 20A 46W P-Ch Automotive FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥4.28
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
SQD19P06-60L-GE3Vishay SiliconixMOSFETP CHW DIODE60V20ATO-252
RoHS : Compliant
1 : $5.1
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
SQD19P06-60L-GE3Vishay半导体 MOSFET 60V 20A 46W P-Ch Automotive FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥4.281+:¥8.45
10+:¥6.78
100+:¥5.23
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4000+:¥4.15
10000+:¥4.05
24000+:¥3.961+:¥4.81
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
SQD19P06-60L-GE3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 60 V 0.055 Ohm 46 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252
RoHS : Compliant
2,000 : $0.6222
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SQD19P06-60L_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified1:¥11.2209
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.1359
2,000:¥4.9268
4,000:查看
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Mouser 贸泽电子
SQD19P06-60L-GE3Vishay半导体 MOSFET 60V 20A 46W P-Ch Automotive FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥4.281+:¥8.45
10+:¥6.78
100+:¥5.23
500+:¥4.63
1000+:¥4.5199
2000+:¥4.32
4000+:¥4.15
10000+:¥4.05
24000+:¥3.96
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Verical
SQD19P06-60L-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK$0.5282
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立创商城
SQD19P06-60L_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):46W 类型:P沟道1+:¥8.71
10+:¥8.46