系列：TrenchFET® Gen IV

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：48nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：5300pF @ 20V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

功率耗散（最大值）：36.7W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2.35 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK®SO-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs