SIHG73N60E-E3
/MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG73N60E-E3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247AC-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:73 A
Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:241 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:520 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Bulk
系列:E
商标:Vishay / Siliconix
下降时间:120 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:105 ns
工厂包装数量:500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:290 ns
典型接通延迟时间:63 ns
单位重量:38 g
SIHG73N60E-E3