制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:64 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:390 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:20.82 mm

长度:15.87 mm

系列:D

宽度:5.31 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:55 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:75 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:58 ns

典型接通延迟时间:27 ns

零件号别名:SIHG32N50D

单位重量:38 g