SIHG33N60E-GE3的供应商，SIHG33N60E-GE3规格参数，SIHG33N60E-GE3的PDF资料

SIHG33N60E-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG33N60E-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:33 A

Rds On-漏源导通电阻:98 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:103 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:278 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:20.82 mm

长度:15.87 mm

系列:E

宽度:5.31 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:48 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:43 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:161 ns

典型接通延迟时间:28 ns

单位重量:38 g

SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
集好芯城	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市坤融电子有限公司	SIHG33N60E-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区华强北南光大厦510	0755-82522195 13332931905	小柯	询价
深圳市微碧半导体有限公司	SIHG33N60E-GE3-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市华芯盛世科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区上步工业区201栋530室	0755-23941632 13723794312	朱先生	询价
深圳市莱杰信科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號	0755-28183929 18207603663,18718561290	吴小姐，曹先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SIHG33N60E-GE3	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

SIHG33N60E-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SIHG33N60E-GE3	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC	Vishay / Siliconix	194.76 Kbytes	共8页	无
SIHG33N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC	Vishay Siliconix	219.87 Kbytes	共10页	无
SIHG33N60E-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：99mΩ @ 16.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道	VISHAY(威世)	198.97 Kbytes	共9页	无

SIHG33N60E-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SIHG33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥48.88 25+:￥39.2799 100+:￥35.78 250+:￥32.29 500+:￥28.98 1000+:￥24.44 2500+:￥23.21 5000+:￥22.341+:￥38.93 10+:￥31.31 100+:￥28.49 250+:￥25.84 500+:￥25.84 1000+:￥24.67 2500+:￥23.7301 5000+:￥23.35 10000+:￥23.481+:￥24.61 75+:￥23.9199 300+:￥23.021+:￥26.02
Digi-Key 得捷电子	SIHG33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥48.88 25+:￥39.2799 100+:￥35.78 250+:￥32.29 500+:￥28.98 1000+:￥24.44 2500+:￥23.21 5000+:￥22.34
Future(富昌)	SIHG33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥48.88 25+:￥39.2799 100+:￥35.78 250+:￥32.29 500+:￥28.98 1000+:￥24.44 2500+:￥23.21 5000+:￥22.341+:￥38.93 10+:￥31.31 100+:￥28.49 250+:￥25.84 500+:￥25.84 1000+:￥24.67 2500+:￥23.7301 5000+:￥23.35 10000+:￥23.481+:￥24.61 75+:￥23.9199 300+:￥23.02
Mouser 贸泽电子	SIHG33N60E-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC	1:¥58.6244 10:¥52.5563 100:¥43.4146 250:¥37.7307
Mouser 贸泽电子	SIHG33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥48.88 25+:￥39.2799 100+:￥35.78 250+:￥32.29 500+:￥28.98 1000+:￥24.44 2500+:￥23.21 5000+:￥22.341+:￥38.93 10+:￥31.31 100+:￥28.49 250+:￥25.84 500+:￥25.84 1000+:￥24.67 2500+:￥23.7301 5000+:￥23.35 10000+:￥23.48
立创商城	SIHG33N60E-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：99mΩ @ 16.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥45.84 10+:￥44.6 30+:￥43.78 100+:￥42.95

SIHG33N60E-GE3的相关型号