制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:35.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:410 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:417 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:EF

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:23 S

下降时间:113 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:104 ns

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:219 ns

典型接通延迟时间:45 ns