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SIHG460B-GE3 /MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:85 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:278 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:20.82 mm

长度:15.87 mm

系列:D

宽度:5.31 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:56 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:31 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:117 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:38 g

供应商SIHG460B-GE3
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIHG460B-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SiHG460B-GE3D Series Power MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO188.95 Kbytes共8页SiHG460B-GE3的PDF下载地址
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SIHG460B-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SIHG460B-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS FET - 单 - 分立半导体产品500+:¥17.21991+:¥23.11
10+:¥18.64
100+:¥16.8999
250+:¥15.32
500+:¥15.32
1000+:¥14.63
2500+:¥14.07
5000+:¥13.7
10000+:¥13.3850+:¥31.9201
250+:¥26.13
1000+:¥24.84
5000+:¥23.681+:¥14.98
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Digi-Key 得捷电子
SIHG460B-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS FET - 单 - 分立半导体产品500+:¥17.2199
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Digi-Key 得捷电子
SIHG460B-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247AC$2.60534
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Mouser 贸泽电子
SIHG460B-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS1:¥30.736
10:¥25.5154
100:¥20.9728
250:¥20.2835
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Mouser 贸泽电子
SIHG460B-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS FET - 单 - 分立半导体产品500+:¥17.21991+:¥23.11
10+:¥18.64
100+:¥16.8999
250+:¥15.32
500+:¥15.32
1000+:¥14.63
2500+:¥14.07
5000+:¥13.7
10000+:¥13.38
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RS(欧时)
SIHG460B-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS FET - 单 - 分立半导体产品500+:¥17.21991+:¥23.11
10+:¥18.64
100+:¥16.8999
250+:¥15.32
500+:¥15.32
1000+:¥14.63
2500+:¥14.07
5000+:¥13.7
10000+:¥13.3850+:¥31.9201
250+:¥26.13
1000+:¥24.84
5000+:¥23.68