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SIHG30N60E-E3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG30N60E-E3的规格信息
SIHG30N60E-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:29 A

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:85 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:E

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:36 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:63 ns

典型接通延迟时间:19 ns

单位重量:38 g

供应商SIHG30N60E-E3
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深圳市坤融电子有限公司SIHG30N60E-E3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市惊羽科技有限公司SIHG30N60E-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SIHG30N60E-E3E Series Power MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO176.64 Kbytes共8页SIHG30N60E-E3的PDF下载地址
SIHG30N60E-E3的全球分销商及价格
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SIHG30N60E-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥46.84
25+:¥37.65
100+:¥34.29
250+:¥30.95
500+:¥27.77
1000+:¥23.42
2500+:¥22.25
5000+:¥21.421+:¥37.35
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10000+:¥22.5325+:¥64.99
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1000+:¥50.581+:¥24.94
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SIHG30N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CHANNEL 600V - Rail/Tube4,999 : $3.0084
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Avnet Express
SIHG30N60E-E3Vishay Semiconductors- Rail/Tube500 : $4.26
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SIHG30N60E-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥46.84
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SIHG30N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 29A TO247AC500 : $3.818
100 : $4.485
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1 : $6.1
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Digi-Key 得捷电子
SIHG30N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 29A TO247ACActive
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SIHG30N60E-E3Vishay IntertechnologiesE-Series N-Channel 600 V 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
RoHS : Compliant
200 : $3.4889
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SIHG30N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC1:¥49.4827
10:¥40.9512
100:¥33.7305
250:¥32.657
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Mouser 贸泽电子
SIHG30N60E-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥46.84
25+:¥37.65
100+:¥34.29
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RS(欧时)
SIHG30N60E-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥46.84
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500+:¥54.18
1000+:¥50.58