SIHG73N60AE-GE3
/MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG73N60AE-GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247AC-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:60 A
Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:394 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:417 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
系列:E
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:22 S
下降时间:114 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:96 ns
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:212 ns
典型接通延迟时间:43 ns
SIHG73N60AE-GE3
SIHG73N60AE-GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | SIHG73N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC | $12.03000 |
 Mouser 贸泽电子 | SIHG73N60AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC | 1:¥88.2869 10:¥79.4503 25:¥72.3878 100:¥65.3931
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