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SIHG47N65E-GE3 /MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG47N65E-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:47 A

Rds On-漏源导通电阻:72 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:182 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:417 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:20.82 mm

长度:15.87 mm

系列:E

宽度:5.31 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:103 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:87 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:156 ns

典型接通延迟时间:47 ns

单位重量:38 g

供应商SIHG47N65E-GE3
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13352985419,19076157484
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIHG47N65E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIHG47N65E-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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13480875861
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIHG47N65E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHG47N65E-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市斌腾达科技有限公司SIHG47N65E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市惊羽科技有限公司SIHG47N65E-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SIHG47N65E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥58.84
25+:¥48.27
100+:¥43.57
250+:¥40.03
500+:¥36.5
1000+:¥31.79
2500+:¥30.61
5000+:¥29.42991+:¥46.88
10+:¥42.24
25+:¥38.4301
100+:¥34.87
250+:¥34.87
500+:¥34.87
1000+:¥32.02
2500+:¥31.62
5000+:¥30.72500+:¥28.541+:¥35.03
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIHG47N65E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥58.84
25+:¥48.27
100+:¥43.57
250+:¥40.03
500+:¥36.5
1000+:¥31.79
2500+:¥30.61
5000+:¥29.4299
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Future(富昌)
SIHG47N65E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥58.84
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2500+:¥30.61
5000+:¥29.42991+:¥46.88
10+:¥42.24
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100+:¥34.87
250+:¥34.87
500+:¥34.87
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5000+:¥30.72500+:¥28.54
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Mouser 贸泽电子
SIHG47N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC1:¥62.0822
10:¥55.935
25:¥50.9404
100:¥45.9458
250:¥42.262
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Mouser 贸泽电子
SIHG47N65E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥58.84
25+:¥48.27
100+:¥43.57
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5000+:¥30.72