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SIHG40N60E-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG40N60E-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:131 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:329 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:E

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:66 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:71 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:127 ns

典型接通延迟时间:35 ns

单位重量:6 g

供应商SIHG40N60E-GE3
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