SIHG30N60AEL-GE3
/MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIHG120N60E-GE3
SIHG30N60AEL-GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247AC-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:28 A
Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:120 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:250 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
系列:EL
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:19 S
下降时间:33 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:24 ns
工厂包装数量:1
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:79 ns
典型接通延迟时间:26 ns
SIHG30N60AEL-GE3
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
SIHG30N60AEL-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIHG120N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |  | 124.35 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SIHG30N60AEL-GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SIHG30N60AEL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC | 500:¥29.2783
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